Détails sur le produit:
Conditions de paiement et expédition:
|
Largeur de bande: | 862/1000MHz | struction: | 1U |
---|---|---|---|
Alimentation: | 220V | Temps de commutation de rf: | <20 ms=""> |
Chaîne de niveau saisie: | DBuV de gamme de niveau saisie | ||
Surligner: | coaxial hybride de fibre,noeud optique de hfc |
1U commutateur d'intérieur de la structure rf 1200 pour 1550 nanomètre, anneau de 1310 nanomètre - système de réseau
Aperçu
Le module de commutateur de RF1200 rf avec l'entrée de signal de deux chemins rf, une production de signal du chemin rf sont très utilisé dans les 1550 nanomètre, système d'anneau-réseau de 1310 nanomètre. Les utilisateurs peuvent placer la détection de signal de changement d'entrée du chemin rf de threshold.with deux et le jugement, si le niveau de signal de radiofréquence est plus bas qu'ou dépasse le seuil, le commutateur placera pour brancher ses propres moyens. Dans le cas du rf bi-directionnel les signaux sont appui normal, de produits commutant manuellement le canal de rf, et alimentant le panneau avant ou la gestion du réseau à distance avec force. En même temps, la gestion du réseau à distance fournit un suivi en temps réel.
Caractéristiques
Paramètres techniques
Non |
Article |
Unité |
Paramètres |
1 |
Plage de fréquence |
Mégahertz |
5~862/1000MHz |
2 |
L'entrée reflètent la perte |
DB |
≥16 |
3 |
La production reflètent la perte |
DB |
≥16 |
4 |
Degré d'isolement |
DB |
≥70 |
5 |
Le degré d'isolement de dans et met en communication |
DB |
≥70 |
6 |
Perte par insertion |
DB |
≤2.0 |
7 |
Planéité |
DB |
±0.75 |
8 |
Temps de commutation de rf |
Mme |
<20 |
9 |
Impédance d'entrée de rf |
Ω |
75 |
10 |
Gamme de niveau saisie |
dBuV |
96~106 (signal de PALanalog rf de 59 chemins) |
11 |
Alimentation d'énergie |
V |
C.A. 220V 50Hz |
12 |
Température de fonctionnement |
℃ |
-25~+65 |
13 |
Température de stockage |
℃ |
-30~+70 |
Personne à contacter: Mr. fov
Téléphone: 18810166789
Télécopieur: 86-189-4289-0330
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